1、TFT-LCD技术方向

　　科技部在“十一五”期间非常重视TFT-LCD技术和产业发展，围绕上游原材料、设备、屏、模组及整机等全产业链进行了开发，到目前为止已比较完整地自主掌握了TFT-LCD生产工艺技术及产品设计技术，通过自主创新和交叉授权等方式，骨干企业掌握了如AFFS等核心专利技术和GOA、ODF、4Mask、120Hz驱动、动态背光等新技术，具备了一定的专利和技术风险防范能力，从产品开发上看已经覆盖了从手机、笔记本电脑、电脑显示器和电视以及特种应用等所有领域。

　　2、PDP技术方向

　　在等离子体显示屏制造方面，我国主要采用国际上主流的表面放电障壁式等离子体显示技术，在收购韩国Orion公司的等离子体显示技术和结合国内有关企业近十年的等离子体显示技术研究的基础上，以量产为目标，通过本地化大规模生产降低成本，不断提高显示性能，目前已经基本全面掌握量产技术和模组产品的开发技术，量产良率水平已超过90%，42英寸、50英寸高清晰度系列模组成功实现规模量产，全高清模组完成试制即将量产。目前国内等离子体显示产业上游的材料、器件研究取得了一定进展，大部分已经进入试制验证阶段，尚未实现大规模的产业化应用。

　　3、OLED技术方向

　　我国在OLED机理研究、材料开发、器件结构设计等方面，已经积累了丰富的经验，做了大量的研究工作，尤其在材料和工艺技术开发方面取得了较大进展和有价值的研究成果。我国在蓝光配合物材料、有源有机发光显示驱动技术、小分子发光材料、界面材料等方面开展了卓有成效和研究工作，开发了具有自主知识产权的一系列红色荧光材料，寿命超过15000小时（初始亮度1000cd/m2），具有产业化应用前景。我国开发的单层结构器件突破了传统的双层和多层结构，简化了材料、设备和工艺制备过程，大大降低生产成本。在阴极结构上，突破了柯达公司核心专利之一的LiF/Al阴极结构技术壁垒，开发了碱及碱土金属的氮化物和胺化物材料的新型阴极结构。国内的高分子发光材料主要依靠自己研制，虽然国内材料总体性能还低于国外产品，但是发展很快，发光材料的效率得到大幅度提高，但稳定性还需要大幅度改善。我国在有源有机发光显示用硅基、金属氧化物基的TFT基板技术研发和驱动IC开发方面也取得较大的进展。

　　4、FED技术方向

　　我国自1985年开始研究场发射冷阴极，经过二十多年的不懈努力，在新型场发射材料、场发射理论、场发射显示器件的设计与制备方面开展研究工作，具有较好的基础和研究特色，特别是在低逸出功印刷型LWF场发射显示、新型纳米线冷阴极场发射显示和类金刚石场发射显示研究方面取得了较大的进展。在低逸出功印刷型和微纳材料两条技术路线上，已研制出彩色场发射显示器和背光源原理性样机。我国在场发射显示阴极材料、阴栅结构、器件制备等方面获取重要知识产权，为“十二五”开展场发射显示研究打下良好的基础。

　　5、电子纸技术方向

　　我国大陆在上世纪90年代就出现采用液晶显示面板的电子书商品，由于液晶显示面板类纸显示特征较差而不被人们所接受。随着新型液晶材料的发展，将有可能推动新一代的液晶电子纸的产生。

　　电泳显示由于其类纸显示性能较好得到人们较好的认同，成为目前电子纸显示商品化产品的主流技术。我国大陆的电泳显示面板技术研究起步晚，但进步快，国内薄膜晶体管液晶显示生产企业也积极投入TFT有源电泳显示电子纸面板技术研发。中国大陆采用电泳显示电子纸显示面板的电子书商品出现是在2006年，市场规模扩展迅速。此外，随着新型液晶材料的发展，将有可能推动新一代的液晶电子纸的产生。