行家说快讯：

近日，微显示方面又传来Micro LED相关消息，市场方面传Meta与三星、LG探讨Micro LED与OLED技术；技术方面，京瓷再次传来新进度……

Meta与三星、LG探讨用于AR／VR的OLED／Micro LED技术

据SBS Biz 报道称，数十名Meta 高管在韩国与三星和 LG 显示器部门的高管举行了私人会议。报告显示，两家公司正在讨论为 VR 和 AR 设备提供 OLED 和 Micro LED 微型显示器。

The Verge 此前报道称，Meta 计划在 AR 眼镜中使用 Micro LED 显示器，预计将于2026 年左右推出。并且此前也有消息称马克扎克伯格告诉员工，Meta 将其 AR／VR 部门预算的 50％ 以上用于开发 AR 眼镜。

AR眼镜是一种基于现实的辅助，是故消费者需求AR轻便、低功耗，如果要在C端大规模销售，那么正需要Micro LED这类低功耗、小型化的显示器件。并且因与光波导技术配合，需要高亮度。

目前Micro LED 与硅基OLED 一样是自发光显示技术，这意味着像素输出光和颜色并且不使用背光，但更节能并且可以达到更高的亮度。这使得二者非常适合消费类 AR 眼镜，这些眼镜需要即使在阳光明媚的日子也能使用，但需要由小而轻的电池供电。

虽然大多数主要电子公司都在积极研究Micro LED，包括三星、索尼和苹果，但成本尚且过高，难以大规模生产。

在短期内，OLED on Silicon 更多的是在 VR 头显方面实现落地。松下在 2020 年 CES 上展示了带有 OLED 微型显示器的超紧凑型 VR 护目镜，在今年的 CES 上，其子公司 Shiftall宣布了一款采用这种设计的耳机。去年LG 宣布正在为 VR 打造 3K 和 4K OLED 微型显示器，亮度超过 5000 尼特。

京瓷开发出小型的硅衬底 GaN 微光源

近日，日本京都京瓷公司表示开发了一种新的薄膜工艺技术，用于制造基于氮化镓 （GaN） 微光源（边长小于 100μm）的独特硅衬底，包括短腔激光芯片和Micro LED。

由于具有更高清晰度、更小尺寸和更轻重量等关键性能优势，这种微型的光源被认为对下一代汽车显示器、可穿戴智能眼镜、通信设备和医疗设备至关重要。

基于 GaN 的光源设备，包括Micro LED 和激光，通常是在蓝宝石和 GaN 衬底上制造的。传统工艺涉及通过在受控气体气氛中将其加热到高温（1000°C 或更高），直接在蓝宝石衬底上形成用于光源的薄 GaN 器件层。然后必须从衬底上移除（剥离）器件层以创建基于 GaN 的微光源器件。

尽管对更小设备的需求不断增加，但仍有三个挑战仍威胁着该工艺在未来实现小型化：

1、难以剥离器件层

对于 Micro LED，现有工艺需要复杂的步骤才能将器件层分成基板上的单个光源；然后，将器件层与基板分离。随着设备变得越来越小，这种剥离过程的技术挑战可能导致产量过低。

2、高缺陷密度，质量不一致

微光源的制造也存在问题，因为器件层必须沉积在蓝宝石、硅或其他晶体结构与器件层不同的材料上。这造成了高缺陷密度和固有的质量挑战。

3、制造成本高

GaN 和蓝宝石衬底非常昂贵。尽管硅衬底的成本低于蓝宝石，但将器件层与硅衬底分离却极为困难。

此前，京瓷也公布了其新工艺技术。使用硅作为极小的发光二极管（LED）的基板，代替昂贵的蓝宝石，能将成本降低到一半以下。并且这项技术有望普及到Micro LED。

该技术是在硅衬底上生长了一个 GaN 层，可以以低成本大批量生产。然后用中心有开口的非生长材料掩蔽 GaN 层。此后，当在硅衬底上形成GaN层时，GaN核在掩模的开口上方生长。GaN层是生长核，在生长初期缺陷较多；但是，通过横向形成 GaN 层，可以创建具有低缺陷密度的高质量 GaN 层，并且可以从 GaN 层的这个低缺陷区域成功制造器件。

京瓷将新工艺的优势列为：

GaN 器件层更容易剥离

具有低缺陷密度的高质量 GaN 器件层

降低制造成本

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       原文标题 : Meta与三星、LG探讨Micro LED/OLED技术；京瓷推出小型GaN 激光芯片