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三星与台积电相互较劲 提前10奈米FinFET制程

2015-07-24 11:48
Hsiao Chen
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  三星、台积电相互较劲的意味相当浓厚。继台积电宣布根据报道称,三星电子(Samsung ElectronicsCo.)为了避免客户转单给台积电,已正式将10奈米FinFET纳入半导体制程技术的开发蓝图(Roadmap)!

  Androidheadlines.com、Fudzilla22日报道,三星晶圆代工事业部(Samsung Foundry)发言人KelvinLow 21日在YouTube发布影片宣布,三星已在6月份正式将10奈米Fin FET制程纳入开发蓝图,预计明(2016)年底就能进入量产的阶段。

  他指出,对行动、消费与网路产品的晶片设计商而言,10奈米FinFET能显着提升晶片的运算效能与省电表现。

  三星电子在4月召开第1季财报电话会议时,宣布了10纳米制程将依计划在2016年底量产,5月在美国也做了同样的宣示,不过现在传出将提早到2016年中量产。据悉,三星电子将在年底前完成设计生产阶段,因此2016年量产时程有可能提前3个月以上。

  而台积电甫于5月21日发布新闻稿宣布,位于中科的台积晶圆十五厂新建厂区,将用于10奈米技术的量产,预计在明年中开始安装机台,并于后年生产。

  三星与台积电的时程大致相同,据报道称三星电子提前10纳米制程的主因,是为了牵制苹果(Apple)代工订单的竞争对手台积电。三星晶圆代工部门副总裁HongHao表示,该公司的10奈米制程在电力、面积与效能方面拥有强大优势,应用的市场非常广泛。

  Fudzilla日前报道,被台积电寄予厚望的10奈米研发进度目前已上轨道,预计在2016年第四季匯入量产、2017年第一季出货。另外,台积电对10奈米与7奈米的制程布局采同步进行,台积电共同执行长刘德音(MarkLiu)透露更先进的7奈米在2017年第二季也将进入制样认证阶段,距离10奈米制样仅相隔5季的时间,如与英特尔(IntelCorp.)放慢脚步作对照,台积电冲刺先进制程显得非常积极。

  VR-Zone、G4 Games2月25日引述ZDNet Korea报道,三星电子曾在2月22-26日于旧金山举办的国际固态电路会议(International SolidState Circuit Conference,ISSCC)上展示了全球首见的10奈米FinFET半导体制程,有望抢在英特尔之前打造出第一款10奈米行动晶片组。 

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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