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应用材料推出面向8.5代LCD和OLED显示制造的新技术

2012-11-06 01:46
黯影冰风
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  应用材料显示事业部(AKT)在日本横滨的2012年国际平板显示器展 (FPDI 2012)现场,通过视频会议系统向北京媒体宣布,推出分别采用低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物材料的PX PECVD(等离子体增强型化学气相沉积)和PiVot PVD(物理气相沉积)薄膜沉积系统。

  这两个系统主要应用于超高分辨率电视及移动设备高像素密度的8.5代LCDOLED屏玻璃基板制造。

  应用材料AKT 的CVD产品营销执行总监肖劲松表示,PX PECVD系统包含3个平台:针对5代基板的15KPX PECVD,基板尺寸为1200x1300mm;6代基板的25KPX PECVD,基板尺寸为1500x1800mm;8.5代基板的55KPX PECVD,基板尺寸为2200x2500mm。上述三类基板厚度均为0.5~0.7mm。

  PX PECVD的主要特点有:可满足LTPS薄膜晶体管430℃的工艺温度(非晶硅薄膜晶体管350℃);在1.6~5.7m2玻璃基板上沉积出的薄膜厚度均匀性<5%(非晶硅薄膜晶体管为10~15%);薄膜性能分布更严格;每个系统平台可放5个工艺腔,生产效率为每小时65块基板。工艺控制过程如图1所示。

  应用材料AKT PVD产品总经理John Busch表示,对基于金属氧化物的薄膜晶体管,PiVot PVD系统采用旋转阴极专利技术,沉积具有高电子迁移率的铟镓锌氧化物(IGZO),以形成晶体管通道;消除了显示背板的雾化效应;所用的圆柱形靶材含杂质低(良率更高),沉积速率快,利用率提升了3倍,还可减少颗粒,实现自我清洁,使用80%后仍很干净;独特的磁铁运行模式使各膜层可在相对静止的状态下均匀沉积;气体输配、靶材侵蚀及阵列设计确保了薄膜晶体管的一致性(见图2)。

图1 AKT LTPS的工艺控制过程

图2 PiVot PVD系统可确保薄膜晶体管的一致性

  肖劲松还指出,实际上,显示制造商在利用金属氧化物技术时,成本会比用传统技术上升20~30%;用LTPS技术时,成本会上升40~60%。但是,高电子迁移率会提升产品的整体经济效益。此外,传统方式的产品良率较低,而对于高像素、高清晰的显示产品,传统的非晶硅技术无法实现,只能采用LTPS或金属氧化物技术。通过雾性均匀性和颗粒性控制,可提高良率。

  应用材料AKT称,目前已收到部分显示制造商对上述2类4种产品的订单。

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