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美国南加州大学开发出透明的TFT

导读: 12月26日消息,美国南加州大学(University of Southern California)利用碳纳米管(CNT)开发出了载流子迁移率最大为1300cm2/Vs的透明TFT。载流子迁移率的提高是通过提高CNT结构的密度而实现的。最大透射率平均为80%。开、闭路时,源/漏极间的电流比为3×1

    12月26日消息,美国南加州大学(University of Southern California)利用碳纳米管(CNT)开发出了载流子迁移率最大为1300cm2/Vs的透明TFT。载流子迁移率的提高是通过提高CNT结构的密度而实现的。最大透射率平均为80%。开、闭路时,源/漏极间的电流比为3×104。因能用120℃以下的工艺制作,可在玻璃和PET底板上形成TFT。

 

    开发该TFT的是南加州大学电子工程系(Department of Electrical Engineering)教授周崇武(Chongwu Zhou)的研究小组。制法为:首先使CNT在石英底板上生长,然后将其移动到预先形成了ITO栅电极的玻璃或PET底板上。之后,形成透明源极和漏极。 CNT管壁的厚度相当于一个碳原子。

 

    周崇武等人表示,采用此次开发的透明TFT驱动市场上销售的GaN LED时,光度可达原来的1000倍。(曾聪)

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