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NXP针对L波段雷达推出最高速的RF输出功率组件

导读: 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)扩张其RF Power晶体管产品线,近日推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,可在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的RF输出功率。

    恩智浦半导体(NXP Semiconductors)扩张其RF Power晶体管产品线,近日推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,可在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的RF输出功率。


    针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。


    恩智浦L波段RF晶体管BLL6H1214-500的主要表现参数包括500W峰值输出功率(在1.4GHz、100μs脉冲宽度,25%占空比时)、17dB增益、50%的漏极效率、更佳的耐用度、能够承受高达5dB的过驱动能力、更佳脉冲偏差值(低于0.2dB)、供电电压50V,以及符合ROHS标准的无毒封装。


    恩智浦的此款组件结合了双载子管的功率密度和适用于L波段雷达设计LDMOS技术优势,其环保的陶瓷封装,可与BeO封装互相替代。BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体管即将上市。


    (助编:xiaohu)

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