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非极性面研发活跃 美通过再生长试制出m面底板

导读: 美国Kyma Technologies与美国北卡罗来纳州立大学的研究小组从c面GaN底板上切下m面,使其再生长,试制出了m面GaN底板。并在2007年9月16~21日于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”上进行了发布。

美国Kyma Technologies与美国北卡罗来纳州立大学的研究小组从c面GaN底板上切下m面,使其再生长,试制出了m面GaN底板。并在2007年9月16~21日于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”上进行了发布。

GaN结晶m面是一种非极性面。所谓非极性面是指与GaN结晶通常使用的c面互相垂直的面。GaN系LED、半导体激光器、高频元件以及电源电路的开关元件等,通常使用GaN结晶的c面。使用非极性面的话,估计可以提高GaN系半导体元件的特性。比如,发光元件,有可能提高发光效率。因此,近来关于非极性面的研发非常活跃,对非极性面底板的要求也越来越高。除该小组外,三菱化学也在致力于非极性底板的研发。

此次的试制品通过使从GaN结晶(沿c轴方向生长)上切下的m面GaN底板再生长而实现。c轴方向和m轴方向的生长均利用了HVPE法。切下m面之后利用CMP进行了研磨。尺寸为4mm×8mm。位错密度为106~105cm-2级。

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